申请号 | CN202011052436.7 | 申请日 | 2020-09-29 |
公开(公告)号 | CN112164664A | 公开(公告)日 | 2021-01-01 |
申请公布号 | CN112164664A | 申请公布日 | 2021-01-01 |
分类号 | H01L21/67;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件 |
发明人 | 陈广伦;张凌越;姜波 | 申请(专利权)人 | |
代理机构 专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。 要想区分是否属于正规的专利代理机构,可以到专利局网站上查询,有专门的专利代理信息页,还包括了正规专利代理机构中的违规行为的惩戒等。 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。专利代理师应具备一定的条件,经考核批准,由国家知识产权局颁发专利代理师资格证。 | 曹廷廷 |
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||
摘要 | 本申请实施例公开了一种用于一次炉管薄膜氧化工艺中获得不同膜厚的工艺生长装置与方法,其中所述方法包括:将若干晶圆按照预设的大片间距和小片间距装载于晶舟上,以在一次炉管薄膜氧化工艺中对所述大片间距和所述小片间距的晶圆进行膜厚生长,所述大片间距和所述小片间距均为所述晶舟上相邻晶圆之间的间距。这样能保证在一次炉管薄膜氧化工艺中实现不同氧化层膜厚的生长,从而避免了机台产能浪费、DOE实验的效率受影响等问题。 | ||
序号 | 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
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1 | 2021-01-01 | 公开 | 公开 |