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将基于顶点的校正应用于半导体设计的方法

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专利申请流程有哪些步骤?
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2015-12-22
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2018-01-26
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2021-02-23
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2035-12-22
基本信息
申请号CN201580070905.9申请日2015-12-22
申请公布号CN107636535A申请公布日2018-01-26
授权公告号CN107636535B授权公告日2021-02-23
优先权号
专利优先权是指专利申请人就其发明创造第一次提出专利申请后,在法定期限内,又在中国以相同主题的发明创造提出专利申请的,根据有关法律规定,其在后申请以第一次专利申请的日期作为其优先权日,专利申请人依法享有的这种权利,就是优先权。
专利优先权的目的在于,避免在优先权日与实际申请日之间公开的技术内容影响本申请的新颖性和创造性。
-优先权日
专利优先权是指专利申请人就其发明创造第一次提出专利申请后,在法定期限内,又在中国以相同主题的发明创造提出专利申请的,根据有关法律规定,其在后申请以第一次专利申请的日期作为其优先权日,专利申请人依法享有的这种权利,就是优先权。
专利优先权的目的在于,避免在优先权日与实际申请日之间公开的技术内容影响本申请的新颖性和创造性。
-
分类号
G03F1/36
G 物理
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备(照相排版装置入B41B;为摄影用的感光材料或处理入G03C;电记录、感光层或处理入G03G)
G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备〔3,2012.01〕
G03F1/36 ·具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕
G03F7/20
G 物理
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备(照相排版装置入B41B;为摄影用的感光材料或处理入G03C;电记录、感光层或处理入G03G)
G03F7/00 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)〔3,5〕
G03F7/20 ·曝光及其设备(复制用照相印制设备入G03B27/00)〔4〕
G03F1/20
G 物理
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备(照相排版装置入B41B;为摄影用的感光材料或处理入G03C;电记录、感光层或处理入G03G)
G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备〔3,2012.01〕
G03F1/20 ·用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备〔2012.01〕
申请人信息
申请(专利权)人
阿塞塔那诺格拉费克斯公司
发明人T·夸利奥;M·米勒康;C·蒂菲尼
地址法国格勒诺布尔邮编-
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
永新专利商标代理有限公司代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
阿塞塔那诺格拉费克斯公司
摘要
本发明公开了一种应用于以纳米级过程恰当地将半导体设计转移到晶片或掩模上的几何形状校正的改进的方法。对比一些现有技术,几何形状校正和可能的剂量校正在断裂之前应用。不同于平行地对边缘进行位移的基于边缘的校正,根据本发明的应用于所生成的几何形状校正的位移不维持边缘的平行,这尤其很好地适用于自由形式设计。种子设计根据目标设计生成。连接线段的顶点沿种子设计的轮廓放置。校正位点放置在线段上。将位移向量应用于顶点。生成模拟轮廓并将其与目标设计的轮廓进行比较。迭代该过程直到达到模拟设计与目标设计之间的匹配标准(或者另一停止标准)为止。
法律状态
序号法律状态公告日法律状态法律状态信息
12018-01-26公布公开
22018-02-27实质审查的生效实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/78
32021-02-23授权授权
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。

1. 一种利用计算机生成数据准备文件以供在e波束设备中使用以用于断裂目标设计以 使半导体集成电路绝缘的方法,所述方法的特征在于其包括: a) 根据所述目标设计生成(410)种子设计; b) 生成(420)连接所述种子设计的顶点的线段以形成所述种子设计的轮廓; c) 将多个校正位点放置(430)在所述种子设计的轮廓上; d) 关联(440)所述校正位点与所述顶点; e) 使剂量图与模拟设计相关联; f) 在所述校正位点处生成所述种子设计的模拟轮廓以形成模拟设计; g) 计算所述顶点的至少一部分的位移以改进所述模拟轮廓与所述种子设计的轮廓之 间的匹配标准; h) 生成所述位移; i) 将所述模拟轮廓存储在所述数据准备文件中; j) 重新进行步骤e)到步骤i)直到停止标准被满足为止。

2. 根据权利要求1所述的方法,其中,直线线段被定义为具有包括在最小值与最大值之 间的长度。

3. 根据权利要求2所述的方法,其中,所述最小值高于或等于绝缘过程的前向散射参=数 的值。

4. 根据权利要求2至3中的一项所述的方法,其中,所述最大值低于或等于所述绝缘过 程的后向散射参数的值。

5. 根据权利要求1至4中的一项所述的方法,其中,所述校正位点是基于从包括以下项 的组中选择的放置规则来放置的:将校正位点放置在所述模拟轮廓的所选择的边缘上,将 校正位点放置在所选择的顶点处,以及将校正位点放置在所选择的顶点的后方和前方中的 一处。

6. 根据权利要求1至5中的一项所述的方法,其中,顶点的组是基于从包括以下项的组 中选择的关联规则与校正位点相关联的:关联顶点的组与最接近的校正位点,关联顶点的 组与在预定义的距离内的校正位点,关联顶点的组与在预定义的加权距离内的校正位点, 所述预定义的加权距离是利用取决于顶点与校正位点之间的距离的权重计算的。

7. 根据权利要求1至6中的一项所述的方法,其中,对顶点进行位移是基于从包括以下 项的组中选择的位移规则确定的:沿分开顶点的两条线段之间的角的等分线对所述顶点进 行位移,以及沿顶点处的剂量梯度对所述顶点进行位移。

8. 根据权利要求1至7中的一项所述的方法,其中,对顶点进行位移是基于在所述校正 位点处所述模拟设计与所述目标设计之间的差值确定的。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法,其中,将剂量图关联到所述模拟设计包括 确定剂量校正以在每次迭代时更新所述剂量图。

10. 根据权利要求9所述的方法,其中,所述剂量校正是长范围的。

11. 根据权利要求1至10中的一项所述的方法,还包括,在步骤h)、步骤i)之后曼哈顿化 所述模拟设计。

12. 根据权利要求1至11中的一项所述的方法,还包括,在步骤h)以及步骤i)、步骤j)中 的一个之后执行基于边缘的校正。

13. 根据权利要求1至12中的一项所述的方法,还包括,在步骤h)、步骤i)以及步骤J)、 步骤k)中的一个之后执行输出轮廓的断裂。

14. 根据权利要求1至13中的一项所述的方法,还包括,在步骤h)、步骤i)、步骤j)以及 步骤k)、步骤1)中的一个之后执行组合的剂量和几何形状校正。 、,

15. —种用于生成数据准备文件以供在e波束设备中使用以用于断裂目标设计以使半 导体集成电路绝缘的计算机程序,所述计算机程序的特征在于其包括用户界面、计算机C 码指令、以及对计算机和存储器资源的访问,其被配置为: a) 根据所述目标设计生成种子设计; b) 生成连接所述种子设计的顶点的直线线段以形成所述种子设计的轮廓; c) 将多个校正位点放置在所述种子设计的轮廓上; d) 关联所述校正位点与所述顶点; e) 使剂量图与模拟设计相关联; f) 在所述校正位点处生成所述种子设计的模拟轮廓以形成模拟设计; 、 g) 计算所述顶点的至少一部分的位移以改进所述模拟轮廓与所述种子设计的轮廓之 间的匹配标准; h) 生成所述位移; i) 将所述模拟轮廓存储在所述数据准备文件中; j) 重新进行步骤e)到步骤i)直到停止标准被满足为止。

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